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業(yè)界領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片廠商

業(yè)界領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片廠商

工業(yè)級(jí)產(chǎn)品

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

        目前國(guó)內(nèi)最先進(jìn)2D NAND制程，通過(guò)程序優(yōu)化，提供更好的讀寫性能和更高可靠性，滿足各類高可靠性應(yīng)用。

廣泛應(yīng)用于各類行業(yè)及工業(yè)類應(yīng)用，如：視頻監(jiān)控，基站，運(yùn)動(dòng)手表，光貓，路由器，機(jī)頂盒等

        與NOR閃存相比，工業(yè)級(jí)SLC NAND在保證同等可靠性性能條件下提供4~8倍存儲(chǔ)空間，可以滿足客戶同等可靠性條件下更大的存儲(chǔ)空間，容納更多更復(fù)雜的應(yīng)用。

        先進(jìn)制程帶來(lái)的尺寸優(yōu)勢(shì)可提供更小的封裝尺寸，可以實(shí)現(xiàn)SIP級(jí)別封裝，協(xié)助客戶進(jìn)一步降低封裝成本

        相對(duì)PPI接口，通用SPI接口帶來(lái)更少的引腳消耗，簡(jiǎn)化的外圍電路設(shè)計(jì)。


  


產(chǎn)品特性：


    ●容量：512 Mb/ 1Gb/ 2Gb/ 4Gb

    ●多種接口模式：SPI

    ●工作電壓：1.8V / 3.3V

    ●可靠性：數(shù)據(jù)保持時(shí)間10年，編程/擦除周期：100,000次，內(nèi)嵌ECC

    ●工作溫度范圍：-40℃~85℃

    ●小型化封裝：WSON8（6*8）





Part Number

Density

Voltage

Temps

P/E Cycle

Package

UM19A9LISW 512Mb 1.8V -40-85 100,000 WSON8
UM19A9HISW 512Mb 1.8V -40-85 100,000 WSON8

UM19A0LISW

1Gb

1.8V

-40~85

100,000

WSON8

UM19A0HISW

1Gb

3.3V

-40~85

100,000

WSON8

UM19A1LISW

2Gb

1.8V

-40~85

100,000

WSON8

UM19A1HISW

2Gb

3.3V

-40~85

100,000

WSON8

UM19A1LISW-D

4Gb

1.8V

-40~85

100,000

WSON8

UM19A1HISW-D

4Gb

3.3V

-40~85

100,000

WSON8



如需獲取相關(guān)產(chǎn)品及技術(shù)資料,請(qǐng)聯(lián)系:sales@unimcom.com